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v 分子束外延，是在超高真空系統(tǒng)中把所需要的結(jié)晶材料放入到噴射爐中，將噴射爐加熱。使結(jié)晶材料形成分子束，從爐中噴出后，沉積在溫度保持在幾的單晶基片上。如果設(shè)置幾個噴射爐，就可以制取多元半導(dǎo)體混晶，又可以同時進行摻雜?？梢跃_地控制結(jié)晶生長，進行沉積系統(tǒng)中結(jié)晶生長過程的研究
v 12個源爐：鎵、銦、鋁、砷、銻、磷、鉍、硅、鎂、摻雜等
v 襯底：4inch
v 溫度：1000°C 溫度均勻性：≤±3°C（4inch）
v 超高真空下全自動樣品轉(zhuǎn)移
v 用于過程控制和分析的所有現(xiàn)代現(xiàn)場監(jiān)控功能
v 一個集群上最多7個超高真空功能單元：裝載、儲存、翻轉(zhuǎn)、處理、排氣、生長，外部腔室
v 可連接其他分析設(shè)備或其他：ALD、PLD、PVD、金屬化、STM......
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